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韶光公司着力推荐光耦新品——飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)为光伏逆变器、电机驱动和感应加热应用的设计人员带来同级最佳共模抑制(CMR)光电耦合器解决方案,型号为FOD3120和FOD3150。这两种产品是输出电流分别为2.5A和1A的栅极驱动光电耦合器,具有业界最高的CMR值,即使在最噪杂的工业环境中,也能够轻易驱动1200V/20AIGBT和MOSFET,而这种抗噪性能有助于防止可能导致击穿电流和IGBT损坏的不必要的开关(误动作)。
此外,这些器件还具有严格的脉宽失真(100ns),提供更小的滤波器,而由于更小的滤波器只需消耗较少电源|稳压器,因此能够改善功效(提高系统效率)。这些栅极驱动光耦合器的峰值工作电压高达1414V,能够配合高压IGBT。
FOD3150和FOD3120与东芝TLP250、安捷伦HCPL3120基本类同。其突出特点是:它可靠性功能高,其中包括:5000V的额定隔离电压可以满足大多数安全认证标准;在电压达到使能状态时才导通的欠压闭锁功能,从而保护所驱动的MOSFET、IGBT元件。
FOD3150、FOD3120具有故障防护绝缘的共面结构。这些器件还具有较宽的工作电压(最大35V)。而且,其PMOS上拉晶体管和下拉晶体管提供轨对轨的信号摆幅(VCC-VEE)。
FOD3150和FOD3120可与市场上东芝TLP250、安捷伦HCPL3120插脚位置一一对应,完全互换,价格优越。FOD3150和FOD3120备有8脚DIP封装形式,可满足包括260C回流焊功能的RoHS要求。这些无铅产品能达到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符合和超越现已生效的欧盟标准IEC60747-5-2和美国标准UL1577的要求。FOD3150比TLP250输出电压高1.5V,输出能力强;3150内部是MOS,压降小,开关速度快,驱动时损耗更低,有助于IGBT或MOS的散热。性能更加优异。