FDA38N30 300 38.0 0.085 60 2600 TO-3PN N沟道,DMOS与平带工艺,用于AC-DC等
FQA38N30 300 38.4 0.0650 90 3380 TO-3PN N沟道增强型,适用于开关电源、DC /DC
FDA59N30 300 59.0 0.056 77 3590 TO-3P N沟道增强型,用于功率因素校正等
FDP15N40 400 15.0 0.300 28 1310 TO-220/F N沟道增强型,用于高效开关电源、功率因素校正等
FDP24N40 400 24.0 0.175 46 2270 TO-220/F
FQP11N50CF 500 11.0 0.4800 43 1515 TO-220 DMOS工艺,N沟道增强型、高雪崩耐量、增强的dv/dt性能,寄生超快恢复二极管,适用于高效开关电源、功率因数校正等
FQPF11N50CF 500 11.0* 0.4800 43 1515 TO-220F
FQP13N50 500 12.5 0.3300 45 1800 TO-220 DMOS工艺,N沟道增强型、高雪崩耐量、开关特性优良、增强的dv/dt性能,100%雪崩耐量检测,适用于高效开关电源、功率因数校正、半桥式电子照明电路等
FQPF13N50 500 12.5* 0.3300 45 1800 TO-220F
FQP13N50C 500 13.0 0.390 43 1580 TTO-220/F
FQA16N50 500 16.0 0.2500 60 2300 TO-3P
FDP16N50 500 16.0 0.380 32 1495 TO-220/F N沟道增强型,DMOS工艺
FDA16N50_F109 500 16.5 0.380 32 1495 TO-3PN N沟道UniFET,适用PDP TV、不间断电源
FDP18N50 500 18.0 0.265 45 2200 TO-220/F N沟道增强型,DMOS工艺
FQP18N50V2 500 18.0 0.2250 42 2530 TO-220
FQPF18N50V2 500 18.0* 0.2250 42 2530 TO-220F
FDA18N50 500 19.0 0.2200 45 2200 TO-3P
IRFP460C 500 20.0 0.2000 130 4590 TO-3PN
FDA20N50 500 22.0 0.2000 45.6 2400 TO-3P
FDA24N50 500 24.0 0.1600 65 3120 TO-3PN
FDA24N50F 500 24.0 0.1660 65 3240 TO-3PN
FQA24N50 500 24.0 0.1560 90 3500 TO-3P DMOS工艺,N沟道增强型,增强的dv/dt性能,适用于高效开关电源、功率因数校正、电机驱动、焊接电源等
FQA28N50 500 28.4 0.1260 110 4300 TO-3P
FDA28N50 500 28.0 0.1220 80 3866 TO-3PN N沟道增强型,适用于高效开关电源
FQL40N50 500 40.0 0.0850 155 5800 TO-264 N沟道增强型,适用电机驱动、焊接电源
FQL40N50F 500 40.0 0.0850 155 5800 TO-264 寄生超快恢复二极管,适用全桥移相电路
FDH45N50F 500 45.0 0.120 105 5100 TO-247 适用于照明、不间断电源、AC-DC
FDA50N50 500 48.0 0.0890 105 4979 TO-3P DMOS工艺,N沟道增强型、高雪崩耐量、开关特性优越,适用于高效开关电源、功率因数校正等
FDH50N50 500 48.0 0.0890 105 4979 TO-247
FDL100N50F 500 100.0 0.055 238 12000 TO-264 N沟道增强型,用于功率因素校正等
FQP5N60C 600 4.5 2.0000 15 515 TO-220 DMOS工艺,N沟道增强型、低栅极电荷、高雪崩耐量、开关特性优越,增强的dv/dt性能,适用于高效开关电源、功率因数校正、半桥式电子照明电路等
FQPF5N60C 600 4.5* 2.0000 15 515 TO-220F
FQP8N60C 600 7.5 1.0000 28 965 TO-220
*电流受最大结温控制
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